Stitch 发表于 2010-12-15 00:47:28

ECHO，你错了！

嘎嘎嘎嘎，突然发现我可以很放肆的对高手说话了，因为我邪恶地找到茬了！;P

首先声明一下，我不是高手，原以为大家都知道原理的，所以之前帖子没提到。这里粗略分析一下，不当之处敬请斧正！

1.    上电瞬间，电源电压流经R1，R2，经过ZD1，ZD2稳压二极管钳位在12V后分别送入MOS1，MOS2的GS极，因此两个MOS管同时开通。
2.    因为元件参数的离散性（例如：MOS管GS钳位电压的离散性、MOS管本身跨导参数的离散性、变压器初级绕组不严格对称、走线长度差异等），导致两管DS电流在上电瞬间就不相同。假设下方的MOS管MOS2流过的电流稍大。即IL3>IL2。因为L2，L3是在同一磁芯上绕制，本身存在磁耦合，所以，对磁芯的励磁电流为IL2，IL3之和。之前提到IL3>IL2，而且从抽头看去，IL2，IL3的电流方向相反，所以对磁芯的励磁电流为Ip1=IL3-IL2。这样就可以等效为仅有L3线圈产生励磁作用（有一部分抵消掉L2的励磁）。明白这点以后，继续往下分析。

3.    见图1，在上电瞬间，L2，L3中的等效励磁电流Ip1用红色线条表示，因为具有相同的磁路，Ip1将在L2上产生一个互感电流，图中用蓝色线条表示，L2+L3与C1构成并联谐振，这个互感电流的方向同IL2相反，如此正反馈造成的结果是IL2越来越小，最终可单纯看做只有L3参与励磁。
4.    与此同时，B点电压升高，D1截止，C点电压保持12V,MOS2继续保持开通。因为MOS2开通时VDS很小，A点近似接地，D2导通，将D点电位强行拉低至0.7V左右，MOS1失去VGS而截止。
5.    随着时间推移，L3对磁芯的励磁最终达到磁饱和，大家注意，此时蓝色线条的电流因磁芯饱和失去互感刚好减到0，MOS1的DS上电压为零。而L3失去电感量而近似于一个仅几mΩ的纯电阻，瞬间大电流全部叠加在MOS2的导通电阻Ron上，使A点电位瞬间升高，D2截止，D点电位恢复至12V，MOS1获得VGS而导通（在VDS=0的情况下导通，故称ZVS）。继而B点近似接地，C点电压降到0.7V，MOS2截止，MOS1保持导通。当L2励磁达到饱和时电路状态再次发生翻转，重复第4过程。
6.    整个过程中，翻转的时间由谐振电容C1的容量和L2+L3共同决定，因为有C1构成谐振，初级电压波形呈完美正弦波，谐波分量大大减小，漏感的影响不复存在，因此变比等于匝比。L1为扼流电感，利用电感电流的不可突变特性，保证磁饱和瞬间MOS管的DS极不会流过巨大浪涌而损坏。这也是为什么不接此电感或者感量太小时，电路空载电流会增大，而且MOS管发热严重的原因。
因为利用了磁饱和原理，所以在磁芯工作在滞回线1,3象限的饱和临界点之间，磁芯的储能作用得以最大发挥，传递功率相当大。

中文的电路如下
[ 此帖被ehco在2010-12-14 18:38重新编辑 ]



嗯……正如所见，并不需要发生那个“神奇的磁饱和”，
那个励磁产生的电动势也没有被二极管吸收，因为它被短路。

结果是使B点电压降低，D1导通……FET2的G-S得以放电………………:lol

Stitch 发表于 2010-12-15 01:05:59

补充一张图：

Stitch 发表于 2011-1-5 20:52:32

那么久了，未见有价值回复，哪怕是批评甚至骂人更或者广告……:dizzy:

天狼晓月 发表于 2011-1-6 18:20:26

好罢.....ST是大笨蛋.......

江海客 发表于 2011-1-7 11:57:19

楼上V5~~~~~~~~

Stitch 发表于 2011-1-14 20:03:07

好罢.....ST是大笨蛋.......
天狼晓月 发表于 2011-1-6 18:20 http://www.hvdiy.com/images/common/back.gif
也就是……我错了？

错在哪里？请指出。:loveliness:

yj19920705 发表于 2011-2-8 21:14:39

回复 7# Stitch


    那个，D4！！

yj19920705 发表于 2011-2-8 22:06:29

那个，我想删除楼上我自己

Stitch 发表于 2011-3-5 00:05:38

回复Stitch


    那个，D4！！
yj19920705 发表于 2011-2-8 21:14 http://hvdiy.com/images/common/back.gif


嗯，电不应该反着来，应该是走FET里，多谢指出～

当时的情况我认为是这样：FET2的导通使FET2关断。

Stitch 发表于 2011-3-5 00:08:32

那个，我想删除楼上我自己
yj19920705 发表于 2011-2-8 22:06 http://hvdiy.com/images/common/back.gif


不用删，挺有价值的。:handshake

Stitch 发表于 2011-3-5 00:10:04

网上有个观点，感觉挺有道理的，搬过来和本帖同供参考：LC本体翻转导致电路状态翻转。

hcc157 发表于 2011-7-23 22:56:00

5.    随着时间推移，L3对磁芯的励磁最终达到磁饱和，大家注意，此时蓝色线条的电流因磁芯饱和失去互感刚好减到0，MOS1的DS上电压为零。而L3失去电感量而近似于一个仅几mΩ的纯电阻，瞬间大电流全部叠加在MOS2的导通电阻Ron上，使A点电位瞬间升高，D2截止，D点电位恢复至12V，MOS1获得VGS而导通（在VDS=0的情况下导通，故称ZVS）。继而B点近似接地，C点电压降到0.7V，MOS2截止，MOS1保持导通。当L2励磁达到饱和时电路状态再次发生翻转，重复第4过程。
注意：此时mosd1的ds上电压不会为零，因为电源的地点在s端，此时由L2互感电压是*正，所以此电压对C1充电，其回路是L2-C1-MOSD1到电源地端。

qq645184551 发表于 2011-7-24 15:27:40

听不懂，太深奥了，就这样用，那么多人用
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